OSG65R220FZF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R220FZF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 82.64 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 0.22 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.22 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
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OSG65R220FZF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R200FF , OSG65R200FSF-NB , OSG65R200FT3F , OSG65R200HF , OSG65R200JF , OSG65R200JT3F , OSG65R200KF , OSG65R200PF , K2611 , OSG65R220HZF , OSG65R220IZF , OSG65R220KZF , OSG65R220PZF , OSG65R260DSF , OSG65R260FSF , OSG65R260FSF-NB , OSG65R290AF .
History: HCD90R800 | IPL60R199CP | SSG4410N | IXTN32P60P | 2SK2715TL | IXTH50N30
History: HCD90R800 | IPL60R199CP | SSG4410N | IXTN32P60P | 2SK2715TL | IXTH50N30



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