OSG65R290KF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R290KF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 104 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 39.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 67.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.29 Ohm
Paquete / Cubierta: TO263
Búsqueda de reemplazo de OSG65R290KF MOSFET
OSG65R290KF Datasheet (PDF)
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdf

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel
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History: IXTH60N20L2 | RUH1H130S | SE80100GA | SWI1N55D | WMK90R360S | OSG65R290AF | IPI65R280C6
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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