Справочник MOSFET. OSG65R290KF

 

OSG65R290KF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: OSG65R290KF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 104 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 39.9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 67.7 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.29 Ohm
   Тип корпуса: TO263
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R290KF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1024K  oriental semi
osg65r290kf.pdfpdf_icon

OSG65R290KF

 4.1. Size:938K  oriental semi
osg65r290kef.pdfpdf_icon

OSG65R290KF

 4.2. Size:991K  oriental semi
osg65r290fef osg65r290def osg65r290kef.pdfpdf_icon

OSG65R290KF

OSG65R290xEF_Datasheet Enhancement Mode N-Channel Power MOSFET Features Applications Low R & FOM Lighting DS(on) Extremely low switching loss Hard switching PWM Excellent stability and uniformity Server power supply Easy to drive Charger EMI and performance balanced OSG65R290FEF, OSG65R290DEF, OSG65R290KEF , Enhancement Mode N-Channel

 5.1. Size:1008K  oriental semi
osg65r290pf.pdfpdf_icon

OSG65R290KF

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: MCH3484 | DMN30H4D0L

 

 
Back to Top

 


 
.