OSG65R360PEF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R360PEF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 24.8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 52 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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OSG65R360PEF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG65R2KFF , OSG65R2KFSF , OSG65R2KPF , OSG65R340DZF , OSG65R340FZF , OSG65R360DEF , OSG65R360GEF , OSG65R360JEF , 20N60 , OSG65R380AF , OSG65R380DF , OSG65R380DSF , OSG65R380DTF , OSG65R380FEF-NB , OSG65R380FF , OSG65R380FSEF , OSG65R380FSF .
History: ME50N02 | AON6760 | OSG65R099PT3ZF | H5N1503P | IXTT3N200P3HV | HY3208APM | QM0016P
History: ME50N02 | AON6760 | OSG65R099PT3ZF | H5N1503P | IXTT3N200P3HV | HY3208APM | QM0016P



Liste
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