OSG65R360PEF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R360PEF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для OSG65R360PEF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R360PEF даташит

 ..1. Size:901K  oriental semi
osg65r360pef.pdfpdf_icon

OSG65R360PEF

 5.1. Size:893K  oriental semi
osg65r360jef.pdfpdf_icon

OSG65R360PEF

 5.2. Size:1032K  oriental semi
osg65r360def.pdfpdf_icon

OSG65R360PEF

 5.3. Size:804K  oriental semi
osg65r360gef.pdfpdf_icon

OSG65R360PEF

Другие IGBT... OSG65R2KFF, OSG65R2KFSF, OSG65R2KPF, OSG65R340DZF, OSG65R340FZF, OSG65R360DEF, OSG65R360GEF, OSG65R360JEF, 20N60, OSG65R380AF, OSG65R380DF, OSG65R380DSF, OSG65R380DTF, OSG65R380FEF-NB, OSG65R380FF, OSG65R380FSEF, OSG65R380FSF