OSG65R420DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R420DF
Código: OSG65R420D
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 83 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 650 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 10.5 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 14.8 nC
Tiempo de subida (tr): 24.1 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 52.2 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.42 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Otros transistores... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , IRFP250 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: SLC700MM10SCN2 | SLC500MM20SHN2 | SLC500MM15SHN2 | SLC500MM10SCT2 | SFW280N600C4 | SFW280N600BC4 | SFW1800N650C2 | SFW132N200I3 | SFW107N200C3 | SFW097N200C3 | SFW095N200C3 | SFW082N165C3 | SFW072N150C2 | SFW043N150C3 | SFW042N100C3 | SFW031N100C3