OSG65R420DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSG65R420DF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 24.1 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 52.2 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.42 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для OSG65R420DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSG65R420DF даташит

 ..1. Size:1025K  oriental semi
 osg65r420df.pdf pdf_icon

OSG65R420DF

 5.1. Size:982K  oriental semi
 osg65r420pf.pdf pdf_icon

OSG65R420DF

 5.2. Size:1022K  oriental semi
 osg65r420ff.pdf pdf_icon

OSG65R420DF

 5.3. Size:1020K  oriental semi
 osg65r420af.pdf pdf_icon

OSG65R420DF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG65R380FTF, OSG65R380FZF, OSG65R380IF, OSG65R380KF, OSG65R380KSF, OSG65R380PF, OSG65R385DTF, OSG65R420AF, 2N7000, OSG65R420FF, OSG65R420PF, OSG65R460AZF, OSG65R460DZ, OSG65R460FZF, OSG65R460FZF-NB, OSG65R460PZF, OSG65R580AF