OSG65R460DZ Todos los transistores

 

OSG65R460DZ MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: OSG65R460DZ
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32.9 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET OSG65R460DZ

 

OSG65R460DZ Datasheet (PDF)

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