OSG65R460FZF-NB Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R460FZF-NB

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 32.9 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.46 Ohm

Encapsulados: TO220F

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OSG65R460FZF-NB datasheet

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OSG65R460FZF-NB

Otros transistores... OSG65R385DTF, OSG65R420AF, OSG65R420DF, OSG65R420FF, OSG65R420PF, OSG65R460AZF, OSG65R460DZ, OSG65R460FZF, IRF9540, OSG65R460PZF, OSG65R580AF, OSG65R580DF, OSG65R580DT3F, OSG65R580DTF, OSG65R580FEF, OSG65R580FEF-NB, OSG65R580FF