Справочник MOSFET. OSG65R460FZF-NB

 

OSG65R460FZF-NB MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG65R460FZF-NB
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 31 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 10 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Время нарастания (tr): 18.8 ns
   Выходная емкость (Cd): 32.9 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.46 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG65R460FZF-NB

 

 

OSG65R460FZF-NB Datasheet (PDF)

 0.1. Size:1024K  oriental semi
osg65r460fzf-nb.pdf

OSG65R460FZF-NB OSG65R460FZF-NB

 2.1. Size:1017K  oriental semi
osg65r460fzf.pdf

OSG65R460FZF-NB OSG65R460FZF-NB

 5.1. Size:977K  oriental semi
osg65r460pzf.pdf

OSG65R460FZF-NB OSG65R460FZF-NB

 5.2. Size:1003K  oriental semi
osg65r460azf.pdf

OSG65R460FZF-NB OSG65R460FZF-NB

 5.3. Size:1000K  oriental semi
osg65r460dzf.pdf

OSG65R460FZF-NB OSG65R460FZF-NB

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top