OSG65R580AF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: OSG65R580AF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 63 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 38.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.58 Ohm

Encapsulados: TO251

 Búsqueda de reemplazo de OSG65R580AF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

OSG65R580AF datasheet

 ..1. Size:1028K  oriental semi
 osg65r580af.pdf pdf_icon

OSG65R580AF

 5.1. Size:919K  oriental semi
 osg65r580fef-nb.pdf pdf_icon

OSG65R580AF

 5.2. Size:1124K  oriental semi
 osg65r580fef.pdf pdf_icon

OSG65R580AF

 5.3. Size:914K  oriental semi
 osg65r580ft3f.pdf pdf_icon

OSG65R580AF

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... OSG65R420DF, OSG65R420FF, OSG65R420PF, OSG65R460AZF, OSG65R460DZ, OSG65R460FZF, OSG65R460FZF-NB, OSG65R460PZF, 2SK3878, OSG65R580DF, OSG65R580DT3F, OSG65R580DTF, OSG65R580FEF, OSG65R580FEF-NB, OSG65R580FF, OSG65R580FSF, OSG65R580FT3F