OSG65R760IF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG65R760IF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 31.4 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.76 Ohm
Paquete / Cubierta: TO262
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OSG65R760IF Datasheet (PDF)
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History: APT5027BVR | DMG7408SFG | IRFR7440 | AP9971GP | SK840303 | 2P308B9 | LND2N60
History: APT5027BVR | DMG7408SFG | IRFR7440 | AP9971GP | SK840303 | 2P308B9 | LND2N60



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