OSG80R650FF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSG80R650FF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 11.4 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 44.8 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.65 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
OSG80R650FF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG80R380DSF , OSG80R380FF , OSG80R380HF , OSG80R380KF , OSG80R380PF , OSG80R600FF , OSG80R650AF , OSG80R650DF , 2N7000 , OSG80R650IF , OSG80R650PF , OSG80R900DF , OSG80R900FF , OSG90R1K2AF , OSG90R1K2DF , OSG90R1K2IF , OSG90R1K2KF .
History: SSF3341L | DM8N65C-F



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
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