Справочник MOSFET. OSG80R650FF

 

OSG80R650FF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: OSG80R650FF
   Маркировка: OSG80R650F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 11.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 44.8 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.65 Ohm
   Тип корпуса: TO220F

 Аналог (замена) для OSG80R650FF

 

 

OSG80R650FF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1003K  oriental semi
osg80r650ff.pdf

OSG80R650FF OSG80R650FF

 5.1. Size:1007K  oriental semi
osg80r650pf.pdf

OSG80R650FF OSG80R650FF

 5.2. Size:1033K  oriental semi
osg80r650if.pdf

OSG80R650FF OSG80R650FF

 5.3. Size:1033K  oriental semi
osg80r650af.pdf

OSG80R650FF OSG80R650FF

 5.4. Size:1034K  oriental semi
osg80r650df.pdf

OSG80R650FF OSG80R650FF

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top