OSS60R099JF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSS60R099JF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 219 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 32.3 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.099 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN8X8
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OSS60R099JF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG95R1K2FF , OSG95R1K2PF , OSG95R350HF , OSG95R500FF , OSG95R500HF , OSG95R750DF , OSG95R750FF , OSS60R099HF , IRLB4132 , OSS60R099KF , OSS60R099PF , OSS60R099TF , OSS60R190FF , OSS60R190JF , OSS60R190PF , OSS65R125PZF , OSS65R240JF .
History: WMP80R1K5S | CMLDM7003E | R6046ANZ | AOI1R4A70
History: WMP80R1K5S | CMLDM7003E | R6046ANZ | AOI1R4A70



Liste
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MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
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