OSS60R099JF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: OSS60R099JF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 32.3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 235.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm
   Тип корпуса: PDFN8X8
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам