OSS60R099JF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSS60R099JF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 219 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 32.3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.099 Ohm

Тип корпуса: PDFN8X8

Аналог (замена) для OSS60R099JF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSS60R099JF даташит

 ..1. Size:844K  oriental semi
oss60r099jf oss60r099tf.pdfpdf_icon

OSS60R099JF

 ..2. Size:875K  oriental semi
oss60r099jf.pdfpdf_icon

OSS60R099JF

 5.1. Size:848K  oriental semi
oss60r099pf.pdfpdf_icon

OSS60R099JF

 5.2. Size:848K  oriental semi
oss60r099hf.pdfpdf_icon

OSS60R099JF

Другие IGBT... OSG95R1K2FF, OSG95R1K2PF, OSG95R350HF, OSG95R500FF, OSG95R500HF, OSG95R750DF, OSG95R750FF, OSS60R099HF, CS150N03A8, OSS60R099KF, OSS60R099PF, OSS60R099TF, OSS60R190FF, OSS60R190JF, OSS60R190PF, OSS65R125PZF, OSS65R240JF