OSS60R190PF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: OSS60R190PF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 600 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 23.9 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 112.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.19 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
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OSS60R190PF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSG95R750FF , OSS60R099HF , OSS60R099JF , OSS60R099KF , OSS60R099PF , OSS60R099TF , OSS60R190FF , OSS60R190JF , IRFP450 , OSS65R125PZF , OSS65R240JF , OSS65R340DF , OSS65R340FF , OSS65R340JF , OSS70R350DF , SFG08R06GF , SFG08R08DF .
History: OSS60R099KF | APT5014BLL | AM2398N | PSMN9R1-30YL | CS4N150V | AO4578 | PSMN9R5-100PS
History: OSS60R099KF | APT5014BLL | AM2398N | PSMN9R1-30YL | CS4N150V | AO4578 | PSMN9R5-100PS



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AP30N10D | AP30N06Y | AP30N06DF | AP30N06D | AP30N03DF | AP30N02D | AP30H04NF | AP30H04DF | AP30G03GD | AP300N04TLG5 | AP2P15MI | AP2N7002A | AP2N30MI | AP2N20MI | AP280N10MP | AP20G03GD
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