OSS60R190PF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: OSS60R190PF
Маркировка: OSS60R190P
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.9 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 15.8 nC
tr ⓘ - Время нарастания: 23.9 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 112.9 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm
Тип корпуса: TO220
- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам
OSS60R190PF Datasheet (PDF)
Другие MOSFET... OSG95R750FF , OSS60R099HF , OSS60R099JF , OSS60R099KF , OSS60R099PF , OSS60R099TF , OSS60R190FF , OSS60R190JF , P60NF06 , OSS65R125PZF , OSS65R240JF , OSS65R340DF , OSS65R340FF , OSS65R340JF , OSS70R350DF , SFG08R06GF , SFG08R08DF .
History: SVF12N60STR | TN0200K-T1 | 50N06L-TN3-R
History: SVF12N60STR | TN0200K-T1 | 50N06L-TN3-R



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ11DN10A | JMTQ100P03A | JMTQ100N04A | JMTQ100N03D | JMTQ100N03A | JMTK90N02A | JMTK80N06A | JMTK75N02A | JMTK70N07A | JMTK60N04B | JMTK58N06B | JMTK50P03A | JMTK50P02A | JMTK50N06B | JMTK50N03A | JMTK500N10A
Popular searches
bdw94c | bd140 transistor | 2n2222a datasheet | bd136 | tl431 datasheet | 2sd526 | 2n4403 transistor equivalent | 2sc1318