OSS60R190PF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: OSS60R190PF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 110 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23.9 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 112.9 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.19 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для OSS60R190PF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

OSS60R190PF даташит

 ..1. Size:858K  oriental semi
 oss60r190pf.pdf pdf_icon

OSS60R190PF

 5.1. Size:892K  oriental semi
 oss60r190jf.pdf pdf_icon

OSS60R190PF

 5.2. Size:851K  oriental semi
 oss60r190ff.pdf pdf_icon

OSS60R190PF

 8.1. Size:848K  oriental semi
 oss60r099pf.pdf pdf_icon

OSS60R190PF

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... OSG95R750FF, OSS60R099HF, OSS60R099JF, OSS60R099KF, OSS60R099PF, OSS60R099TF, OSS60R190FF, OSS60R190JF, 5N60, OSS65R125PZF, OSS65R240JF, OSS65R340DF, OSS65R340FF, OSS65R340JF, OSS70R350DF, SFG08R06GF, SFG08R08DF