SFG08R08GF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFG08R08GF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 70 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 963.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: PDFN5X6
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SFG08R08GF Datasheet (PDF)
Otros transistores... OSS65R125PZF , OSS65R240JF , OSS65R340DF , OSS65R340FF , OSS65R340JF , OSS70R350DF , SFG08R06GF , SFG08R08DF , IRFZ46N , SFG08R08PF , SFG08R16BF , SFG08R16DF , SFG08S06DF , SFG08S06GF , SFG08S10BF , SFG08S10DF , SFG100N08GF .
History: IRFP451FI | PSMN2R6-60PS | STFW45N65M5 | STT3470N | IRLML6344GT | IRFS7434 | IPP320N20N3
History: IRFP451FI | PSMN2R6-60PS | STFW45N65M5 | STT3470N | IRLML6344GT | IRFS7434 | IPP320N20N3



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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