SFG08R08GF - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

SFG08R08GF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: SFG08R08GF
   Маркировка: SFG08R08G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 70 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 43.1 nC
   Время нарастания (tr): 20.2 ns
   Выходная емкость (Cd): 963.5 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6

Аналог (замена) для SFG08R08GF