SFG08R08GF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SFG08R08GF
   Маркировка: SFG08R08G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 70 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 43.1 nC
   trⓘ - Время нарастания: 20.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 963.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам