SFG08S10BF Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: SFG08S10BF  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 480.1 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de SFG08S10BF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

SFG08S10BF datasheet

 ..1. Size:822K  oriental semi
sfg08s10bf.pdf pdf_icon

SFG08S10BF

 6.1. Size:939K  oriental semi
sfg08s10df.pdf pdf_icon

SFG08S10BF

 8.1. Size:973K  oriental semi
sfg08s06gf.pdf pdf_icon

SFG08S10BF

 8.2. Size:992K  oriental semi
sfg08s06df.pdf pdf_icon

SFG08S10BF

Otros transistores... SFG08R06GF, SFG08R08DF, SFG08R08GF, SFG08R08PF, SFG08R16BF, SFG08R16DF, SFG08S06DF, SFG08S06GF, STF13NM60N, SFG08S10DF, SFG100N08GF, SFG100N08KF, SFG100N10DF, SFG100N10GF, SFG100N10KF, SFG100N10PF, SFG10R05FF