SFG08S10BF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG08S10BF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 4.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 480.1 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для SFG08S10BF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG08S10BF даташит

 ..1. Size:822K  oriental semi
sfg08s10bf.pdfpdf_icon

SFG08S10BF

 6.1. Size:939K  oriental semi
sfg08s10df.pdfpdf_icon

SFG08S10BF

 8.1. Size:973K  oriental semi
sfg08s06gf.pdfpdf_icon

SFG08S10BF

 8.2. Size:992K  oriental semi
sfg08s06df.pdfpdf_icon

SFG08S10BF

Другие IGBT... SFG08R06GF, SFG08R08DF, SFG08R08GF, SFG08R08PF, SFG08R16BF, SFG08R16DF, SFG08S06DF, SFG08S06GF, STF13NM60N, SFG08S10DF, SFG100N08GF, SFG100N08KF, SFG100N10DF, SFG100N10GF, SFG100N10KF, SFG100N10PF, SFG10R05FF