SFG10R140DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFG10R140DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 17 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.5 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 28.9 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SFG10R140DF Datasheet (PDF)
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History: RQ1E050RP | SFP043N100C3 | P0425AD | JCS7N70FE | STB18NM80 | YJD45G10A | AP85T10AGI-HF
History: RQ1E050RP | SFP043N100C3 | P0425AD | JCS7N70FE | STB18NM80 | YJD45G10A | AP85T10AGI-HF



Liste
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