SFG10R140DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: SFG10R140DF
   Маркировка: SFG10R140D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 17 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 4.3 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 3.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 28.9 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO252
     - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам