SFG10R50DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFG10R50DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 4.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 77.7 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de SFG10R50DF MOSFET
SFG10R50DF Datasheet (PDF)
Otros transistores... SFG10R140DF , SFG10R14BF , SFG10R14GF , SFG10R20AF , SFG10R20BF , SFG10R20DF , SFG10R20GF , SFG10R20PF , 50N06 , SFG10R75BCF , SFG10R75DF , SFG10S08DF , SFG10S08GF , SFG10S08PF , SFG10S10DF , SFG10S10GF , SFG10S12BF .
History: SFG10R20PF | 2SJ465 | FQB7N30TM | QS5U12
History: SFG10R20PF | 2SJ465 | FQB7N30TM | QS5U12



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sc1079 | 2sc1815 equivalent | 2sa1220 | 2sa940 | 2sc627 | 2sc680 | 2sd234 | 2sc9014