Справочник MOSFET. SFG10R50DF

 

SFG10R50DF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: SFG10R50DF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 77.7 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для SFG10R50DF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

SFG10R50DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:780K  oriental semi
sfg10r50df.pdfpdf_icon

SFG10R50DF

 8.1. Size:891K  oriental semi
sfg10r12af.pdfpdf_icon

SFG10R50DF

 8.2. Size:952K  oriental semi
sfg10r20df.pdfpdf_icon

SFG10R50DF

 8.3. Size:873K  oriental semi
sfg10r20af.pdfpdf_icon

SFG10R50DF

Другие MOSFET... SFG10R140DF , SFG10R14BF , SFG10R14GF , SFG10R20AF , SFG10R20BF , SFG10R20DF , SFG10R20GF , SFG10R20PF , 50N06 , SFG10R75BCF , SFG10R75DF , SFG10S08DF , SFG10S08GF , SFG10S08PF , SFG10S10DF , SFG10S10GF , SFG10S12BF .

History: SIRA32DP | SWF4N65DA | IPN60R360PFD7S | SRT06N095LMG | TMAN16N60A | GSM4210 | SSF6010A

 

 
Back to Top

 


 
.