FDN5630 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDN5630  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 1.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 102 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: SSOT3

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FDN5630 datasheet

 ..1. Size:91K  fairchild semi
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FDN5630

March 2000 FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET General Description Features This N-Channel MOSFET has been designed specifically 1.7 A, 60 V. RDS(ON) = 0.100 @ VGS = 10 V to improve the overall efficiency of DC/DC converters using RDS(ON) = 0.120 @ VGS = 6 V. either synchronous or conventional switching PWM Optimized for use in high frequenc

 ..2. Size:1125K  kexin
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FDN5630

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET FDN5630 (KDN5630) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9 -0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) = 60V ID = 1.7 A (VGS = 10V) 1 2 RDS(ON) 100m (VGS = 10V) +0.1 +0.05 0.95-0.1 0.1-0.01 RDS(ON) 120m (VGS = 6V) +0.1 1.9-0.1 D 1. Gate 2. Source 3. Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Rating

 ..3. Size:1473K  cn vbsemi
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FDN5630

FDN5630 www.VBsemi.tw N-Channel 60-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21 VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)a Qg (Typ.) Available TrenchFET Power MOSFET 0.085 at VGS = 10 V 4.0 60 2.1 nC 100 % Rg Tested 0.096 at VGS = 4.5 V 3.8 100 % UIS Tested APPLICATIONS Battery Switch DC/DC Converter D TO-236 (SOT23) G 1

 0.1. Size:944K  kexin
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FDN5630

SMD Type MOSFET N-Channel MOSFET FDN5630 (KDN5630) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) = 60V ID = 1.7 A (VGS = 10V) 1 2 RDS(ON) 100m (VGS = 10V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 120m (VGS = 6V) 1. Gate D 2. Source 3. Drain G S Absolute Maximum Ratings Ta = 25 Parameter Symbol Ra

Otros transistores... FDN352AP, FDN359BN, STM4884A, FDN361BN, STM4884, FDN372S, STM4880, FDN5618P, STF13NM60N, FDN8601, STM4840, FDN86246, FDP025N06, FDP030N06, FDP032N08, FDP036N10A, STM4639