SFG15N10DF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: SFG15N10DF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 36 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 3.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 171 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.075 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
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SFG15N10DF Datasheet (PDF)
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History: AM2319P | GP1M016A060N | AP2329GN-HF | AM2323P | STW20NM65N | AM2321P
History: AM2319P | GP1M016A060N | AP2329GN-HF | AM2323P | STW20NM65N | AM2321P
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