Справочник MOSFET. SFG15N10DF

 

SFG15N10DF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: SFG15N10DF
   Маркировка: SFG15N10D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 6.5 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm
   Тип корпуса: TO252

 Аналог (замена) для SFG15N10DF

 

 

SFG15N10DF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:978K  oriental semi
sfg15n10df.pdf

SFG15N10DF
SFG15N10DF

 9.1. Size:1004K  oriental semi
sfg150n10pf.pdf

SFG15N10DF
SFG15N10DF

 9.2. Size:899K  oriental semi
sfg150n10kf.pdf

SFG15N10DF
SFG15N10DF

 9.3. Size:830K  oriental semi
sfg15r25gf.pdf

SFG15N10DF
SFG15N10DF

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top