SFG15N10DF datasheet, аналоги, параметры транзистора

SFG15N10DF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: SFG15N10DF 📄📄

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 36 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

tr ⓘ - Время нарастания: 3.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 171 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.075 Ohm

Тип корпуса: TO252

📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для SFG15N10DF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

..1. Size:978K oriental semi
sfg15n10df.pdf pdf_icon

9.1. Size:1004K oriental semi
sfg150n10pf.pdf pdf_icon

9.2. Size:899K oriental semi
sfg150n10kf.pdf pdf_icon

9.3. Size:830K oriental semi
sfg15r25gf.pdf pdf_icon