AP0803QD MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AP0803QD
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm
Paquete / Cubierta: PMPAK3X3
Búsqueda de reemplazo de AP0803QD MOSFET
AP0803QD Datasheet (PDF)
ap0803gmt-hf.pdf

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History: ME2606-G | SPE4N65G



Liste
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