AP0803QD Todos los transistores

 

AP0803QD MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP0803QD

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 20 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 225 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0115 Ohm

Encapsulados: PMPAK3X3

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AP0803QD datasheet

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AP0803QD

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AP0803QD

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AP0803QD

AP0803GMT-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 8.5m Low On-resistance ID 50A G RoHS Compliant S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device des

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AP0803QD

AP0803GMT-A-HF Halogen-Free Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET Simple Drive Requirement D BVDSS 30V SO-8 Compatible RDS(ON) 8.5m Low On-resistance ID 50A G RoHS Compliant & Halogen-Free S D D Description D D Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, rugg

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History: SI2101 | SGSP462 | AP15N03GH | AP3N4R5M

 

 

 

 

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