AP4085G Todos los transistores

 

AP4085G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: AP4085G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 5.8 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L
 

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AP4085G Datasheet (PDF)

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AP4085G

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AP4085G

AP4085IRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16AGSDescriptionAdvanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowGon-resistanc

 8.2. Size:174K  ape
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AP4085G

AP4085WRoHS-compliant ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFETD Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16AGSDescriptionThe Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer withthe best combination of fast switching, ruggedized device design, lowon-resistan

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History: FS20SM-6 | IRFS543 | IRF7811W

 

 
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