AP4085G Todos los transistores

 

AP4085G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AP4085G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 195 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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AP4085G datasheet

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AP4085G

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AP4085G

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AP4085G

AP4085I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G on-resistanc

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AP4085G

AP4085W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

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History: AP2P052Y | AP9992GR

 

 

 

 

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