AP4085G - описание и поиск аналогов

 

AP4085G. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: AP4085G

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 27.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 40 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 195 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: PDFN5X6-8L

Аналог (замена) для AP4085G

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AP4085G даташит

 ..1. Size:1969K  1
 ap4085g.pdf pdf_icon

AP4085G

 ..2. Size:1969K  allpower
 ap4085g.pdf pdf_icon

AP4085G

 8.1. Size:121K  ape
 ap4085i.pdf pdf_icon

AP4085G

AP4085I RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low G on-resistanc

 8.2. Size:174K  ape
 ap4085w.pdf pdf_icon

AP4085G

AP4085W RoHS-compliant Product Advanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Electronics Corp. POWER MOSFET D Low On-resistance BVDSS 500V Simple Drive Requirement RDS(ON) 0.43 Fast Switching Characteristic ID 16A G S Description The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistan

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP20P30Q , AP30H50Q , AP30H80G , AP30H80Q , AP3908GD , AP3908QD , AP3910GD , AP4008QD , IRF730 , AP4822QD , AP4910GD , AP60P20Q , AP68N06G , AP80N04G , AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.