ASDM30P11TD-R Todos los transistores

 

ASDM30P11TD-R MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ASDM30P11TD-R

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm

Encapsulados: PDFN3X3-8L

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ASDM30P11TD-R datasheet

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ASDM30P11TD-R

ASDM30P11TD -30V P-Channel MOSFET Product Summary Features Low FOM RDS(on) Qgd 100% avalanche tested V DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliant R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m I D -55 A Application Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load Switch PDFN3*3-8 Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

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ASDM30P11TD-R

ASDM30P11TD -30V P-Channel MOSFET Product Summary Features Low FOM RDS(on) Qgd 100% avalanche tested V DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliant R DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m I D -55 A Application Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load Switch PDFN3*3-8 Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

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ASDM30P11TD-R

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

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ASDM30P11TD-R

ASDM30P30CTD -30V P-Channel MOSFET Features Product Summary Low RDS(ON) Fast switching V -30 V DSS Green Device Available R 15 m DS(ON)-Typ. Application I -30 A D MB / VGA / Vcore POL Applications DFN3*3-8 P-MOSFET Absolute Maximum Ratings (T =25 C Unless Otherwise Noted) J Symbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

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History: AUIRF1010EZL | 20N03 | NTMS4177PR

 

 

 


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