ASDM30P11TD-R Todos los transistores

 

ASDM30P11TD-R MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: ASDM30P11TD-R
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3X3-8L
 

 Búsqueda de reemplazo de ASDM30P11TD-R MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

ASDM30P11TD-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  1
 asdm30p11td-r.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P11TD-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Low FOM RDS(on)Qgd 100% avalanche testedV DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliantR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 mI D -55 AApplication Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load SwitchPDFN3*3-8Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

 3.1. Size:514K  ascend
 asdm30p11td.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P11TD-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Low FOM RDS(on)Qgd 100% avalanche testedV DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliantR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 mI D -55 AApplication Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load SwitchPDFN3*3-8Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

 7.1. Size:435K  1
 asdm30p30ctd-r.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 7.2. Size:577K  1
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , IRF640N , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 .

History: HGB035N08A | 6N65D | OSG65R2KFSF | SUD50N03-06AP | HY3215P | DMN3007LSS | ELM53402CA

 

 
Back to Top

 


 
.