Справочник MOSFET. ASDM30P11TD-R

 

ASDM30P11TD-R Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: ASDM30P11TD-R
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 31.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 400 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm
   Тип корпуса: PDFN3X3-8L
 

 Аналог (замена) для ASDM30P11TD-R

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ASDM30P11TD-R Datasheet (PDF)

 ..1. Size:514K  1
 asdm30p11td-r.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P11TD-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Low FOM RDS(on)Qgd 100% avalanche testedV DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliantR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 mI D -55 AApplication Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load SwitchPDFN3*3-8Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

 3.1. Size:514K  ascend
 asdm30p11td.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P11TD-30V P-Channel MOSFETProduct SummaryFeatures Low FOM RDS(on)Qgd 100% avalanche testedV DS -30 V Easy to use/drive RoHS compliantR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 mI D -55 AApplication Power Switch Circuit of Adaptor and Charger Battery Protection Charge/Discharge Notebook AC-in Load SwitchPDFN3*3-8Absolute Maximum Ratings TA = 25 u

 7.1. Size:435K  1
 asdm30p30ctd-r.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

 7.2. Size:577K  1
 asdm30p30ctd.pdf pdf_icon

ASDM30P11TD-R

ASDM30P30CTD-30V P-Channel MOSFETFeaturesProduct Summary Low RDS(ON) Fast switchingV -30 V DSS Green Device AvailableR 15 mDS(ON)-Typ.ApplicationI -30 A D MB / VGA / Vcore POL ApplicationsDFN3*3-8 P-MOSFETAbsolute Maximum Ratings (T =25C Unless Otherwise Noted)JSymbol Parameter Rating Unit VDSS Drain-Source Voltage -30 V VGSS Gate-

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... AP80N04Q , AP90N03Q , AP90P03G , AP90P03Q , APG077N01G , APG095N01G , ASDM30N55E-R , ASDM30N65E-R , IRF640N , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , DMN3009LFVW-7 , DMN3010LFG-7 .

History: LSD65R180HT | ME4972-G | P4506BD | PB606BA | SI7617DN | OSG65R070PT3F | SSF2616E

 

 
Back to Top

 


 
.