DMN3010LFG-7 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: DMN3010LFG-7
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 26 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 30 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 190 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: POWERDI3333-8
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DMN3010LFG-7 datasheet
dmn3010lfg-7.pdf
DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 8.5m @ VGS = 10V 30A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 10.5m @ VGS = 4.5V 25A
dmn3010lfg.pdf
DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 8.5m @ VGS = 10V 30A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 10.5m @ VGS = 4.5V 25A
dmn3010lk3.pdf
DMN3010LK3 Green N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25 C Small form factor thermally efficient package enables higher 9.5m @ VGS = 10V 43A density end products 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 39A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and
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Liste
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