Справочник MOSFET. DMN3010LFG-7

 

DMN3010LFG-7 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: DMN3010LFG-7
   Маркировка: G10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 26 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 30 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 16.1 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 19.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 190 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: POWERDI3333-8
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMN3010LFG-7 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:426K  1
 dmn3010lfg-7.pdf pdf_icon

DMN3010LFG-7

DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 8.5m @ VGS = 10V 30A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 10.5m @ VGS = 4.5V 25A

 4.1. Size:426K  diodes
 dmn3010lfg.pdf pdf_icon

DMN3010LFG-7

DMN3010LFG N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25C Small form factor thermally efficient package enables higher density end products 8.5m @ VGS = 10V 30A 30V Occupies just 33% of the board area occupied by SO-8 enabling 10.5m @ VGS = 4.5V 25A

 6.1. Size:146K  diodes
 dmn3010lss.pdf pdf_icon

DMN3010LFG-7

DMN3010LSSSINGLE N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Please click here to visit our online spice models database.Features Mechanical Data Low On-Resistance Case: SOP-8L 9m @ VGS = 10V Case Material: Molded Plastic, Green Molding Compound. UL Flammability Classification Rating 94V-0 13m @ VGS = 4.5V Moisture Sensitivity: Level 1 per J-STD-020D

 6.2. Size:276K  diodes
 dmn3010lk3.pdf pdf_icon

DMN3010LFG-7

DMN3010LK3GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features ID Low RDS(ON) ensures on state losses are minimized V(BR)DSS RDS(ON) TC = +25C Small form factor thermally efficient package enables higher 9.5m @ VGS = 10V 43A density end products 30V 11.5m @ VGS = 4.5V 39A Lead-Free Finish; RoHS Compliant (Notes 1 & 2) Halogen and

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... ASDM30P11TD-R , ASDM30P30CTD-R , ASDM40N52E-R , AUIRFN8405TR , CJAC100SN08U , CJAC110SN10A , CJAC80SN10 , DMN3009LFVW-7 , IRFP250N , DMN3016LPS-13 , DMNH10H028SPSQ-13 , DMNH4006SPSQ-13 , DMP2002UPS-13 , DMP22M2UPS-13 , DMP3007SPS-13 , DMP3010LPSQ-13 , DMP3013SFV-13 .

 

 
Back to Top

 


 
.