DMN3016LPS-13 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMN3016LPS-13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 16.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 119 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: POWERDI5060-8

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DMN3016LPS-13 datasheet

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DMN3016LPS-13

DMN3016LPS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 12m @ VGS = 10V 10.8A

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DMN3016LPS-13

DMN3016LPS 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low On-Resistance ID Low Input Capacitance V(BR)DSS RDS(ON) max TA = +25 C Fast Switching Speed 12m @ VGS = 10V 10.8A

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DMN3016LPS-13

 6.2. Size:462K  diodes
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DMN3016LPS-13

DMN3016LK3 30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Product Summary Features 100% Unclamped Inductive Switch (UIS) Test in Production ID V(BR)DSS RDS(on) Low On-Resistance TC = +25 C Fast Switching Speed 12m @ VGS = 10V 37.8A Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Note 1 & 2) 30V 16m @ VGS = 4.5V 32.8A Halogen and Antimony Free. Green D

Otros transistores... ASDM30P30CTD-R, ASDM40N52E-R, AUIRFN8405TR, CJAC100SN08U, CJAC110SN10A, CJAC80SN10, DMN3009LFVW-7, DMN3010LFG-7, 2N7000, DMNH10H028SPSQ-13, DMNH4006SPSQ-13, DMP2002UPS-13, DMP22M2UPS-13, DMP3007SPS-13, DMP3010LPSQ-13, DMP3013SFV-13, DMP3013SFV-7