DMT31M6LPS-13 Todos los transistores

 

DMT31M6LPS-13 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: DMT31M6LPS-13
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 100 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 150 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 20.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 3372 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0035 Ohm
   Paquete / Cubierta: POWERDI5060-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

DMT31M6LPS-13 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:421K  1
 dmt31m6lps-13.pdf pdf_icon

DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID Max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 1.35m @ VGS = 10V 150A Density End

 4.1. Size:421K  diodes
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DMT31M6LPS-13

DMT31M6LPS GreenN-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET POWERDI Product Summary Features and Benefits Low RDS(ON) Minimizes On-State Losses ID Max Excellent Qgd x RDS(ON) Product (FOM) BVDSS RDS(ON) Max TC = +25C Advanced Technology for DC-DC Converters Small Form Factor Thermally Efficient Package Enables Higher 1.35m @ VGS = 10V 150A Density End

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History: BLF6G27-100 | HCFL60R190

 

 
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