DMTH8012LPSW-13 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DMTH8012LPSW-13

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 53.7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3.8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 177 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.017 Ohm

Encapsulados: POWERDI5060-8

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DMTH8012LPSW-13 datasheet

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DMTH8012LPSW-13

Green DMTH8012LPSW 80V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q) Product Summary Features Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID BVDSS RDS(ON) TC = +25 Environments C 53.7A 17m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 80V 23.5m @ VGS = 4.5V 44.3A and Robust End Appli

 2.1. Size:519K  diodes
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DMTH8012LPSW-13

Green DMTH8012LPSW 80V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q) Product Summary Features Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID BVDSS RDS(ON) TC = +25 Environments C 53.7A 17m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 80V 23.5m @ VGS = 4.5V 44.3A and Robust End Appli

 5.1. Size:550K  diodes
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DMTH8012LPSW-13

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