DMTH8012LPSW-13. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: DMTH8012LPSW-13

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 53.7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3.8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 177 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.017 Ohm

Тип корпуса: POWERDI5060-8

Аналог (замена) для DMTH8012LPSW-13

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DMTH8012LPSW-13 даташит

 0.1. Size:519K  1
 dmth8012lpsw-13.pdf pdf_icon

DMTH8012LPSW-13

Green DMTH8012LPSW 80V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q) Product Summary Features Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID BVDSS RDS(ON) TC = +25 Environments C 53.7A 17m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 80V 23.5m @ VGS = 4.5V 44.3A and Robust End Appli

 2.1. Size:519K  diodes
 dmth8012lpsw.pdf pdf_icon

DMTH8012LPSW-13

Green DMTH8012LPSW 80V +175 C N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET PowerDI5060-8 (SWP) (Type Q) Product Summary Features Rated to +175 C Ideal for High Ambient Temperature ID BVDSS RDS(ON) TC = +25 Environments C 53.7A 17m @ VGS = 10V 100% Unclamped Inductive Switching Ensures More Reliable 80V 23.5m @ VGS = 4.5V 44.3A and Robust End Appli

 5.1. Size:550K  diodes
 dmth8012lk3.pdf pdf_icon

DMTH8012LPSW-13

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... DMT6004LPS-13, DMT6005LPS-13, DMT6009LPS-13, DMT6016LPS-13, DMTH4007LPS-13, DMTH6002LPS-13, DMTH6010LPSQ-13, DMTH8003SPS-13, IRF1010E, EMB06N03V, FDMS86380-F085, G12P03D3, G16P03D3, GL150N03AD, GL35N03AD3, GT080N10D5, GT110N06D5