HYG009N04LS1C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HYG009N04LS1C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1278 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00096 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6-8L

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HYG009N04LS1C2

HYG009N04LS1C2 Datasheet (PDF)

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hyg009n04ls1c2.pdf

HYG009N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/200A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.75m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 1.05m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manage

9.1. Size:709K 1
hyg007n03ls1c2.pdf

HYG007N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/220A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.63m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 0.96 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manag

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Liste

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