HYG009N04LS1C2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG009N04LS1C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 200 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1278 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.00096 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6-8L

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HYG009N04LS1C2 datasheet

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HYG009N04LS1C2

HYG009N04LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 40V/200A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.75m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 1.05m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manage

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HYG009N04LS1C2

HYG007N03LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Description Pin Description 30V/220A D D D D D D D D RDS(ON)= 0.63m (typ.) @VGS = 10V RDS(ON)= 0.96 m (typ.) @VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available G S S S S S S G Pin1 PDFN5*6-8L Applications Switching Application Power Manag

Otros transistores... HSBA6074, HSBA6115, HSBA6214, HSBB3072, HSBB6113, HSBB6254, HY1906C2, HYG007N03LS1C2, 20N50, HYG011N04LS1C2, HYG013N03LS1C2, HYG015N04LS1C2, HYG017N04LS1C2, HYG019N04NR1C2, HYG023N03LR1C2, HYG025N04NA1C2, HYG045N03LA1C1