HYG072N10LS1C2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HYG072N10LS1C2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 497 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: PPAK5X6-8L

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HYG072N10LS1C2 datasheet

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HYG072N10LS1C2

HYG072N10LS1C2 Single N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature Pin Description D D D D D D D D 100V/80A RDS(ON)= 6.0 m (typ.) @ VGS = 10V RDS(ON)= 8.8 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices Available S S S G G S S S (RoHS Compliant) PPAK5*6-8L Pin1 Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck C

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