HYG072N10LS1C2 Todos los transistores

 

HYG072N10LS1C2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HYG072N10LS1C2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 19.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 497 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6-8L
 

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HYG072N10LS1C2 Datasheet (PDF)

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HYG072N10LS1C2

HYG072N10LS1C2Single N-Channel Enhancement Mode MOSFETFeature Pin DescriptionD D D DD D D D 100V/80ARDS(ON)= 6.0 m (typ.) @ VGS = 10VRDS(ON)= 8.8 m (typ.) @ VGS = 4.5V 100% Avalanche Tested Reliable and Rugged Halogen- Free Devices AvailableS S S G G S S S(RoHS Compliant)PPAK5*6-8LPin1Applications High Frequency Point-of-Load Synchronous Buck C

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History: HYG055N08NS1C2

 

 
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