FDP054N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDP054N10
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 263 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 144 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0055 Ohm
Encapsulados: TO220
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FDP054N10 datasheet
fdp054n10.pdf
August 2010 FDP054N10 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 144A, 5.5m Features Description RDS(on) = 4.6m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been Fast Switching Speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
fdp054n10.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
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History: FDPF2710T
History: FDPF2710T
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