FDP054N10. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: FDP054N10
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 144 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
Электрические характеристики
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для FDP054N10
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
FDP054N10 даташит
fdp054n10.pdf
August 2010 FDP054N10 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 144A, 5.5m Features Description RDS(on) = 4.6m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been Fast Switching Speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
fdp054n10.pdf
Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur
Другие MOSFET... FDP038AN06A0 , FDP040N06 , FDP045N10AF102 , STM4637 , FDP047N08 , FDP047N10 , STM4635 , FDP050AN06A0 , AON7403 , STM4633 , FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , FDP090N10 , STM4605 .
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sa679 | 2sc3181 | 2sb324 | 2sc1904 | 2sc281 | m28s transistor | 2n3640 | tta1943 transistor





