FDP054N10 - описание и поиск аналогов

 

FDP054N10. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDP054N10

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 263 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 144 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0055 Ohm

Тип корпуса: TO220

Аналог (замена) для FDP054N10

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDP054N10 даташит

 ..1. Size:269K  fairchild semi
fdp054n10.pdfpdf_icon

FDP054N10

August 2010 FDP054N10 N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 144A, 5.5m Features Description RDS(on) = 4.6m ( Typ.)@ VGS = 10V, ID = 75A This N-Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor s advanced PowerTrench process that has been Fast Switching Speed especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance.

 ..2. Size:914K  onsemi
fdp054n10.pdfpdf_icon

FDP054N10

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

 ..3. Size:283K  inchange semiconductor
fdp054n10.pdfpdf_icon

FDP054N10

 9.1. Size:1440K  fairchild semi
fdp053n08b.pdfpdf_icon

FDP054N10

Другие MOSFET... FDP038AN06A0 , FDP040N06 , FDP045N10AF102 , STM4637 , FDP047N08 , FDP047N10 , STM4635 , FDP050AN06A0 , AON7403 , STM4633 , FDP060AN08A0 , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , FDP090N10 , STM4605 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.