IRFH8318TRPBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IRFH8318TRPBF
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 59 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 700 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0031 Ohm
Paquete / Cubierta: PQFN5X6
Búsqueda de reemplazo de IRFH8318TRPBF MOSFET
IRFH8318TRPBF Datasheet (PDF)
irfh8318trpbf.pdf
IRFH8318PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max 20 VRDS(on) max 3.1(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)4.6Qg typ19 nCPQFN 5X6 mmID 50 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8318pbf.pdf
IRFH8318PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max 20 VRDS(on) max 3.1(@VGS = 10V)m(@VGS = 4.5V)4.6Qg typ19 nCPQFN 5X6 mmID 50 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8311trpbf.pdf
IRFH8311PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max V 20RDS(on) max 2.1(@VGS = 10V) m(@VGS = 4.5V) 3.2Qg typ. 30 nCPQFN 5X6 mmID 80 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
irfh8311.pdf
IRFH8311PbFHEXFET Power MOSFETVDS 30 VVgs max V 20RDS(on) max 2.1(@VGS = 10V) m(@VGS = 4.5V) 3.2Qg typ. 30 nCPQFN 5X6 mmID 80 A(@Tc(Bottom) = 25C)Applications Synchronous MOSFET for high frequency buck convertersFeatures and BenefitsFeatures BenefitsLow Thermal Resistance to PCB (
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History: IRF3711L | OSG60R260DF | AO8830 | ME7640-G | NCE30H11BG | HY4504W | NCE30H15BG
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