IRFHM830TRPBF MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IRFHM830TRPBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFHM830TRPBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 37 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0038 Ohm

Encapsulados: PQFN3.3X3.3

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IRFHM830TRPBF datasheet

..1. Size:532K 1
irfhm830trpbf.pdf pdf_icon

IRFHM830PbF HEXFET Power MOSFET VDSS 30 V RDS(on) max 3.8 m (@ VGS = 10V) Qg (typical) 15 nC Rg (typical) 2.5 ID 40 A (@TC (Bottom) = 25 C) PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications Battery Operated DC Motor Inverter MOSFET Features Benefits Low RDSon (

6.1. Size:243K international rectifier
irfhm830d.pdf pdf_icon

PD -96327A IRFHM830DPbF HEXFET Power MOSFET VDS 30 V RDS(on) max D 5 4 G 4.3 m (@VGS = 10V) D 6 3 S Qg (typical) 13 nC D 7 2 S RG (typical) 1.1 D 8 1 S ID 40 A 3.3mm x 3.3mm PQFN (@Tc(Bottom) = 25 C) Applications Synchronous MOSFET for Buck Converters Features and Benefits Features Benefits Low RDSon ( 4.3m ) Lower Conduction Losses Schottky intrin

6.2. Size:532K international rectifier
irfhm830pbf.pdf pdf_icon

6.3. Size:243K international rectifier
irfhm830dpbf.pdf pdf_icon

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