JMSL0302AG MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JMSL0302AG

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 78 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 178 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 9 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2650 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0016 Ohm

Encapsulados: PDFN5X6

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JMSL0302AG datasheet

 ..1. Size:236K  1
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JMSL0302AG

JMSL0302AG 30V 1.3m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th) 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V) 1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management in Computing,

 ..2. Size:297K  jiejie micro
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JMSL0302AG

JMSL0302AG 30V 1.3m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.0kV VGS(th) 1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V) 1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications

 5.1. Size:276K  1
 jmsl0302au.pdf pdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AU 30V 1.2m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS 30 V High Current Capability VGS(th)_Typ 1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.0 m Applications Power Management i

 5.2. Size:293K  jiejie micro
 jmsl0302ak.pdf pdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AK 30V 1.7m N-Ch Power MOSFET Product Summary Features Parameter Value Unit Low RDS(ON) VDS 30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ 1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 161 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V) 1.7 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V) 2.2 m Halogen-free and RoHS-compliant Applications Power Mana

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