Справочник MOSFET. JMSL0302AG

 

JMSL0302AG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JMSL0302AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 178 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для JMSL0302AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0302AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  1
jmsl0302ag.pdfpdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management in Computing,

 5.1. Size:276K  1
jmsl0302au.pdfpdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AU30V 1.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)_Typ1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management i

 9.1. Size:289K  1
jmsl0406ag.pdfpdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0406AG40V 4.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS40 V Low Gate Charge VGS(th)1.7 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 70 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)4.2 mApplications Power Management in Computing, CE, IE 4.0, Communications Current Switching in DC/DC

 9.2. Size:277K  1
jmsl0606ag.pdfpdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0606AG60V 4.0m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS60 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.8 V High Current Capability ID (@ VGS = 10V) (1) 97 A RDS(ON)_Typ(@ VGS = 10V)4.0 m 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) _Typ(@ VGS = 4.5V)5.2 mApplications Power Managerment in Telecom., Industrial

Другие MOSFET... IRFH8311TRPBF , IRFH8318TRPBF , IRFHM3911TRPBF , IRFHM792TRPBF , IRFHM830TRPBF , IRFHM8329TRPBF , IRLH6224TRPBF , IRLHM630TRPBF , IRF540N , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , JMTQ55P02A , JSM2050 .

History: GWM180-004X2-SL | IRF7343PBF | NP45N06VUK | NCEP060N10 | WMM071N15HG2 | STE45NK80ZD | IPI50N12S3L-15

 

 
Back to Top

 


 
.