JMSL0302AG - аналоги и даташиты транзистора

 

JMSL0302AG - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: JMSL0302AG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 78 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 178 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 9 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 2650 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0016 Ohm
   Тип корпуса: PDFN5X6
 

 Аналог (замена) для JMSL0302AG

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JMSL0302AG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:236K  1
 jmsl0302ag.pdf pdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management in Computing,

 ..2. Size:297K  jiejie micro
 jmsl0302ag.pdf pdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AG30V 1.3m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Typ. Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.0kV VGS(th)1.7 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 178 A Pb-free Lead Plating RDS(ON) (@ VGS = 10V)1.3 m RDS(ON) (@ VGS = 4.5V)2.0 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications

 5.1. Size:276K  1
 jmsl0302au.pdf pdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AU30V 1.2m N-Ch Power MOSFETFeatures Product SummaryParameter Value Unit Ultra-low RDS(ON) VDS30 V High Current Capability VGS(th)_Typ1.7 V ESD Enhanced to HBM Rating up to 1.5kV ID (@ VGS = 10V) (1) 145 A 100% UIS Tested, 100% Rg Tested RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.2 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.0 mApplications Power Management i

 5.2. Size:293K  jiejie micro
 jmsl0302ak.pdf pdf_icon

JMSL0302AG

JMSL0302AK30V 1.7m N-Ch Power MOSFETProduct SummaryFeaturesParameter Value Unit Low RDS(ON) VDS30 V Low Gate Charge VGS(th)_Typ1.6 V 100% UIS Tested, 100% Rg Tested ID (@ VGS = 10V) (1) 161 A Pb-free Lead Plating RDS(ON)_Typ (@ VGS = 10V)1.7 m RDS(ON)_Typ (@ VGS = 4.5V)2.2 m Halogen-free and RoHS-compliantApplications Power Mana

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFH8311TRPBF , IRFH8318TRPBF , IRFHM3911TRPBF , IRFHM792TRPBF , IRFHM830TRPBF , IRFHM8329TRPBF , IRLH6224TRPBF , IRLHM630TRPBF , IRF540N , JMSL0302AU , JMSL0406AG , JMSL0606AG , JMTG040N03A , JMTG3002B , JMTQ35N06A , JMTQ55P02A , JSM2050 .

 

 
Back to Top

 


 
.