FDP060AN08A0 Todos los transistores

 

FDP060AN08A0 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDP060AN08A0

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 255 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm

Encapsulados: TO220

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FDP060AN08A0 datasheet

 ..1. Size:252K  fairchild semi
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FDP060AN08A0

November 2002 FDB060AN08A0 / FDP060AN08A0 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 80A, 6.0m Features Applications rDS(ON) = 4.8m (Typ.), VGS = 10V, ID = 80A 42V Automotive Load Control Qg(tot) = 73nC (Typ.), VGS = 10V Starter / Alternator Systems Low Miller Charge Electronic Power Steering Systems Low QRR Body Diode Electronic Valve Train Systems U

 ..2. Size:1079K  onsemi
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FDP060AN08A0

Is Now Part of To learn more about ON Semiconductor, please visit our website at www.onsemi.com Please note As part of the Fairchild Semiconductor integration, some of the Fairchild orderable part numbers will need to change in order to meet ON Semiconductor s system requirements. Since the ON Semiconductor product management systems do not have the ability to manage part nomenclatur

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FDP060AN08A0

Otros transistores... FDP045N10AF102 , STM4637 , FDP047N08 , FDP047N10 , STM4635 , FDP050AN06A0 , FDP054N10 , STM4633 , EMB04N03H , FDP075N15AF102 , FDP083N15AF102 , FDP085N10AF102 , STM4615 , FDP090N10 , STM4605 , FDP100N10 , STM4550 .

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