JSM3622 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JSM3622
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 14.2 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 10 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 75 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.014 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333-8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JSM3622

JSM3622 Datasheet (PDF)

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jsm3622.pdf

JSM3622N -CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFETDescription D1 D2The JSM3622 uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate G1 G2voltages as low as 2.5V. This device is suitable for use as a Battery protection or in other switching application. S1 S2Schematic diagram General Feature VDS =30V,ID =25A RDS(ON) Typ

9.1. Size:4930K 1
jsm36326.pdf

JSM36326N-Channel Enhancement Mode Power MOSFETN-Channel Enhancement Mode Power MOSFET 28V N-Channel MOSFETDFN 3x3_EPPRODUCT SUMMARYTop View Bottom ViewVDS (V) = 28VID = 12A (VGS = 10V)RDS(ON)

Otros transistores... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRF640 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: